Combinada con la tecnología del proceso de interconexión vertical, la técnica puede ligar una matriz de llamada 3D y permitir a la memoria NAND Flash aumentar el doble y utilizar una tecnología de 20nm. Normalmente, el paso a 10nm no habría traído una mejora tan importante.
El nuevo chip Samsung V-NAND permite una densidad de 128 Gb en un solo chip.
Su nueva estructura de celdas planar cell tiene una disposición vertical, dando temporalmente una carga eléctrica en una cámara de retención de la capa flash non-conductora.
Esta es una alternativa al uso de una puerta flotante para evitar interferencias entre las celdas vecinas.
El resultado es una capa CTF tridimensional con una mejor fiabilidad y velocidad en comparación con otras memorias NAND.
La fiabilidad puede subir por un factor de 2 a 10, y el rendimiento de escrutirua mejora por un factor de dos, frente a las puertas flotantes de clase 10nm.
“La nueva tecnología flash V-NAND 3D es el resultado de años de esfuerzos de nuestros empleados que trataron de empujar las formas convencionales de pensamiento en busca de enfoques más innovadores en el diseño de tecnologías de semiconductores de memoria”, dijo Jeong-Hyuk Choi, vicepresidente sénior de tecnologías y productos flash en Samsung Electronics.
“Con la primera producción en masa de NAND 3D vertical del mundo, seguimos introduciendo productos V-NAND 3D con rendimiento mejorado y mayor densidad, que contribuyen al crecimiento de la industria global de memorias”.
Samsung usará las memorias NAND 3D con estructura vertical en las unidades de estado sólido, NAND embebido, memorias de smartphones, tablets, otros dispositivos de consumo e incluso aplicaciones empresariales.